Prosessutvikling for framstilling av tynne 3DPixel strålingssensorer

Prosessutvikling for framstilling av tynne “3D pixel“ strÅlingssensorer Enkeltsidig prosessering av 150 mm silisiumskiver (23 pcs) med egen “Deep Reactive Ion Etch (drie)“ fabrikasjonsteknologi Totalbudsjett: 2 mnok Tidsramme: Oppstart 2014 tredje kvartal, 26 ukers gjennomløpstid Fysisk leveranser: Ferdigprosesserte silisiumskiver sendes til cern Teknisk spesifikasjon: Innkjøp av råmaterialer: - Substratskiver: 300 um tykkelse, 150 mm diameter p-type høyresistivitet “float-zone“ - Støtteskiver: 300 um tykkelse, 150 mm diameter, mekanisk kvalitet Konstruksjon og innkjøp av fotomasker, totalt 8 masker: - n+ elektroder (drie and poly) - p+ elektroder (drie and poly) - Metall-lag for test - Endelig metall-lag Sensorfabrikasjon: - p-spray implantering av substratskive - Sammenbinding av substrat- og støtteskiver - Nedtynning til 50, 100 um - drie-fabrikasjon av 3D elektrodestrukturer, best mulig høyde/diameter-forhold - Implantering av elektroder, fylling med polysilisium, separate steg for n+ og p+ - Kontaktåpninger, metall-lag og passivering Kvalitetskontroll og testing: - Evaluering av standard testdioder og sk. “process control monitors“ - målinger med metall-lag for testing